SIHP17N80AE-GE3
N沟道 MOSFET,电流:17A,耐压:800V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP17N80AE-GE3
- 商品编号
- C3290443
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56.5pF |
商品概述
这款新型低电荷功率MOSFET与传统功率MOSFET相比，显著降低了栅极电荷。采用新的LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升，降低了栅极驱动要求，节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中，该器件可降低开关损耗，提高效率。使用这款新型低电荷功率MOSFET，可在大电流下实现数MHz的频率。
这些器件性能的提升，结合功率MOSFET固有的耐用性和可靠性，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻 × 栅极电荷
- 低有效电容(Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动器-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)