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IRL510PBF-BE3

1个N沟道耐压:100V 电流:5.6A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRL510PBF-BE3
商品编号: C3290455
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

IRF830、IRF831、IRF832 和 IRF833 是 n 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。IRF830R、IRF831R、IRF832R 和 IRF833R 型是先进的功率 MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率 MOSFET 均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

动态dV/dt额定值
重复雪崩额定
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
175°C工作温度
快速开关
易于并联

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	5.6A
	导通电阻(RDS(on))	540mΩ@5V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	43W
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	6.1nC@5V
	输入电容(Ciss)	250pF
	工作温度	-55℃~+175℃