IRF620PBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:5.2A,耐压:200V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF620PBF-BE3
- 商品编号
- C3290462
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比，显著降低了栅极电荷。采用新型LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升，降低了栅极驱动要求，节省了系统总成本。此外，该器件还能在各种高频应用中降低开关损耗，提高效率。使用这款新型低电荷MOSFET，可在大电流条件下实现数MHz的频率。 这些器件的改进，结合功率MOSFET固有的耐用性和可靠性，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强30 V VGS额定值
- 降低Ciss、Coss、Crss
- 极高频率操作
- 重复雪崩额定