我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
FQP19N10L实物图
  • FQP19N10L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP19N10L

N沟道,电流:19A,耐压:100V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQP19N10L
商品编号
C3290289
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@5V
输入电容(Ciss)870pF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)210pF

商品概述

• 50A、250V,在VGS = 10V时,RDS(on) = 36.3mΩ

  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷
  • 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合RoHS标准

商品特性

  • 19A、100V,VGS = 10V时RDS(on) = 0.1Ω
  • 低栅极电荷(典型值14nC)
  • 低反向传输电容(典型值35pF)
  • 快速开关
  • 100%经过雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 最高结温额定值175°C

应用领域

  • 高效开关型DC/DC转换器
  • 直流电机控制

数据手册PDF