FQP2P25
P沟道,电流:-2.3A,耐压:-250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP2P25
- 商品编号
- C3290330
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 2.3A,-250V,VGS = -10V时,RDS(on) = 4.0Ω
- 低栅极电荷(典型值6.5nC)
- 低Crss(典型值6.5pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理