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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP14N15

14A, 150V N沟道 MOSFET

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQP14N15
商品编号
C3290372
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)14.4A
导通电阻(RDS(on))210mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)715pF
反向传输电容(Crss)29pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品概述

采用TrenchMOS技术的塑料封装标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。这些器件包含用于静电放电(ESD)保护和温度感应的TrenchPLUS二极管。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 14A、150V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.21Ω
  • 低栅极电荷(典型值18nC)
  • 低Crss(典型值22pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 最高结温额定值175°C

应用领域

  • Audio amplifier
  • High efficiency switching for DC/DC converters
  • DC motor control
  • Uninterrupted power supply

数据手册PDF