我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
IRL640PBF-BE3实物图
  • IRL640PBF-BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRL640PBF-BE3

N沟道,电流:17A,耐压:200V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRL640PBF-BE3
商品编号
C3290396
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))270mΩ@4V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)66nC@5V
输入电容(Ciss)1.8nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用,如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。

商品特性

  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 在Vgs = 4 V和5 V下规定的Rdson
  • 快速开关
  • 易于并联
  • 驱动要求简单

应用领域

  • 音频放大器
  • DC/DC转换器的高效开关
  • DC电机控制
  • 不间断电源

数据手册PDF