IRF9620PBF-BE3
P沟道,电流:-2.0A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9620PBF-BE3
- 商品编号
- C3290397
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
-动态dv/dt额定值-P沟道-快速开关-易于并联-驱动要求简单