SIHP21N60EF-BE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:21A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP21N60EF-BE3
- 商品编号
- C3290413
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 176mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-采用E系列技术的快速体二极管MOSFET-降低trr、Qrr和IRRM-低品质因数(FOM):Ron × QG-低输入电容(Ciss)-因低Qrr而增强了鲁棒性-超低栅极电荷(QG)-雪崩能量额定(UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LLC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥