温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF840LCPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:5.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这一系列新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比，可显著降低栅极电荷。利用新的LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件的改进，从而降低了栅极驱动要求并节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用新型低电荷MOSFET可在大电流下实现几MHz的频率。这些器件的改进与功率MOSFET固有的耐用性和可靠性相结合，为开关应用的设计者提供了一种新的功率晶体管标准。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF840LCPBF
- 商品编号
- C3290428
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
相似推荐
其他推荐