我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
SIHP21N80AEF-GE3实物图
  • SIHP21N80AEF-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHP21N80AEF-GE3

N沟道MOSFET,电流:10.3A,耐压:800V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHP21N80AEF-GE3
商品编号
C3290435
商品封装
TO-220AB​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)16.3A
导通电阻(RDS(on))250mΩ@10V
耗散功率(Pd)179W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)71nC@10V
输入电容(Ciss)1.511nF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

采用TrenchMOS技术的塑料封装标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已按照相应的AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低有效电容(Co(er))
  • 降低开关和传导损耗
  • 雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF