IRF640R
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRF640R
- 商品编号
- C3290430
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 16A和18A,150V - 200V
- 漏源导通电阻(rDS(on)) = 0.18Ω和0.22Ω
- 单脉冲雪崩能量额定*
- 安全工作区(SOA)受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性转移特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源
- 直流驱动器
- 电动工具