RFP8P10
P沟道,电流:8A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFP8P10
- 商品编号
- C3290424
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
这款带有同步场效应晶体管（SyncFET）的互补 P 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。它经过优化，可在小封装中提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- 8A,100V
- rDS(ON) = 0.400 Ω
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极型开关晶体管驱动器