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IRFBC40LCPBF

N沟道MOSFET,电流:3.9A,耐压:600V

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFBC40LCPBF
商品编号: C3290412
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

这款新型低电荷功率MOSFET与传统功率MOSFET相比,显著降低了栅极电荷。采用新的LCDMOS技术,在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升,降低了栅极驱动要求,节省了系统总成本。此外,在各种高频应用中,该器件可降低开关损耗,提高效率。使用这款新型低电荷功率MOSFET,可在大电流下实现数MHz的频率。

这些器件性能的提升,结合功率MOSFET固有的耐用性和可靠性,为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。

商品特性

-超低栅极电荷-降低栅极驱动要求-增强30 V、VGS额定值-降低Ciss、Coss、Crss-极高频率操作-重复雪崩额定-符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	6.2A
	导通电阻(RDS(on))	1.2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	125W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	39nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.1nF
	反向传输电容(Crss)	15pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	140pF