IRFZ44RPBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFZ44RPBF-BE3
- 商品编号
- C3290408
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 920pF |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDP/B6676S采用仙童公司的单片SyncFET技术，集成了肖特基二极管。作为同步整流器中的低端开关，FDP/B6676S的性能与FDP/B6676与肖特基二极管并联时的性能并无差异。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dV/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 可直接替代用于线性/音频应用的IRFZ44、SiHFZ44