RFB18N10CSVM
N沟道,电流:18A,耐压:100V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFB18N10CSVM
- 商品编号
- C3290393
- 商品封装
- TO-220-5
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFB18N10CS、RFB18N10CSVM、RFB18N10CSHM是具有内置电流检测功能的n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。电流检测引脚提供漏极电流的精确比例,可作为控制和/或保护的反馈信号。这些器件可在标准PowerMOS生产线上重复且经济地生产。 RFB系列采用TS - 001(5引脚)外壳样式的塑料封装,提供多种引脚配置。
商品特性
- 18A,100V
- 漏源导通电阻rDS(ON) 0.1Ω
- 内置电流检测比例1560 ± 2.5%
- 单脉冲UIS安全工作区额定曲线
- 工作和储存温度范围 -55°C至 +175°C