FDP6676S
N沟道,电流:38A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP6676S
- 商品编号
- C3290389
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.853nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 316pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDP/B6676S采用仙童公司的单片SyncFET技术,集成了肖特基二极管。作为同步整流器中的低端开关,FDP/B6676S的性能与FDP/B6676与肖特基二极管并联时的性能并无差异。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 8.0 mΩ
- 38 A、30 V。在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 6.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值40 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力