SFP9Z14
P沟道,电流:-6.7A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFP9Z14
- 商品编号
- C3290335
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
RM150N60T2采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 150A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 4.5mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完整
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源