HUF75542P3_NL
N沟道,电流:75A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75542P3_NL
- 商品编号
- C3290346
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并显著改善了单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)），同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.014 Ω,VGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
应用领域
- 开关应用