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ISL9N302AP3实物图
  • ISL9N302AP3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISL9N302AP3

N沟道,电流:75A,耐压:30V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
ISL9N302AP3
商品编号
C3290294
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)345W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)300nC@10V
输入电容(Ciss)11nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2nF

商品特性

  • 典型值:当栅源电压 VGS 为 10 V、漏极电流 ID 为 80 A 时,导通状态下的漏源电阻 RDS(on) 为 2.3 mΩ
  • 典型值:当栅源电压 VGS 为 10 V 时,栅极电荷 Q_g(10) 为 181 nC
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷 Q_rr 的体二极管
  • 具有单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
  • 通过 AEC Q101 认证
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 螺线管和电机驱动器
  • 电子转向
  • 集成启动器/交流发电机
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V 系统的初级开关

数据手册PDF