RFP45N03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFP45N03L
- 商品编号
- C3290321
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 50A，60V
- 导通电阻rDS(ON) = 0.022Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关（UIS）额定曲线
- 工作温度175°C