RFP10N15L
1个N沟道 耐压:150V 电流:10A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFP10N15L
- 商品编号
- C3290280
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 优化的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：-10 μA（最大值）@ 漏源电压VDS = -250 V
- 低导通状态下的漏源电阻RDS(ON)：3.5 Ω（典型值）