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NP82N04MLG-S18-AY实物图
  • NP82N04MLG-S18-AY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP82N04MLG-S18-AY

1个N沟道 耐压:40V 电流:82A

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商品型号
NP82N04MLG-S18-AY
商品编号
C3290288
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)82A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)143W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss)9nF
反向传输电容(Crss)670pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)870pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 塑料包覆式引脚
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 2500V电气隔离
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 标准等级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
  • 高品质等级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。

数据手册PDF