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NP90N04VLG-E1-AY实物图
  • NP90N04VLG-E1-AY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP90N04VLG-E1-AY

1个N沟道 耐压:40V 电流:90A

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商品型号
NP90N04VLG-E1-AY
商品编号
C3290832
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)135nC@10V
输入电容(Ciss)6.9nF
反向传输电容(Crss)560pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)720pF

商品概述

该系列器件采用先进的超结技术和设计,可在低栅极电荷情况下实现出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET满足了行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用中AC-DC开关电源(SMPS)的要求。

商品特性

  • 适用于高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100%雪崩测试
  • 符合ROHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)

数据手册PDF