NP80N04PDG-E1B-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP80N04PDG-E1B-AY
- 商品编号
- C3291141
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 560pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
- 专有MOS5™技术
- 低 RDS(on)
- 优化开关参数，提升电磁干扰（EMI）性能
- 增强体二极管，提高耐用性和实现快速反向恢复
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。