RJK0701DPN-E0#T2
N沟道 MOSFET,电流:100A,耐压:75V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0701DPN-E0#T2
- 商品编号
- C3290494
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 超快速开关
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用
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