- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RJK60S4DPP-E0#T2
600V,16A,低导通电阻超级结MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK60S4DPP-E0#T2
- 商品编号
- C3290617
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 988pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.415nF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）也很低，适用于要求极高的高效转换器，非常适合桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 超结MOSFET
- 低导通电阻RDS(on) = 0.23Ω(典型值)(ID = 8A、VGS = 10V、Ta = 25°C时)
- 高速开关
- tf = 17 ns(典型值)(ID = 8A、VGS = 10V、RL = 37.5Ω、Rg = 10Ω、Ta = 25°C时)
应用领域
- 开关应用
- RJK6006DPP-A0#T2
- RJK6014DPP-E0#T2
- N0436N-ZK-E1-AY
- N0607N-ZK-E1-AY
- NP50P04SDG-E1-AY
- NP50P06SDG-E1-AY
- NP50P04SLG-E1-AY
- 2SJ598-ZK-E1-AZ
- NP20P04SLG-E1-AY
- NP15P04SLG-E1-AY
- NP75N04VDK-E1-AY
- NP90N06VLK-E1-AY
- NP60N04VDK-E1-AY
- NP90N04VDK-E1-AY
- NP89N04PUK-E1-AY
- NP50P04KDG-E1-AY
- NP100N04PUK-E1-AY
- NP100P04PLG-E1-AY
- NP36P04KDG-E1-AY
- NP50P06KDG-E1-AY
- 2SK3479-Z-E1-AZ