FQP3N90
N沟道 MOSFET,电流:3.6A,耐压:900V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP3N90
- 商品编号
- C3290311
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条状DMOS技术制造。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 3.6A、900V,VGS = 10V时,RDS(on) = 4.25Ω
- 低栅极电荷(典型值20nC)
- 低Crss(典型值8.0pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 汽车-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制