FDP15N65
650V, 15A, N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP15N65
- 商品编号
- C3290281
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.095nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 15A、650V,RDS(on) = 0.44 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值48.5 nC)
- 低Crss(典型值23.6 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电源管理开关应用
- 高速开关应用