TSM3N90CZ C0G
1个N沟道 耐压:900V 电流:2.5A
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- 商品型号
- TSM3N90CZ C0G
- 商品编号
- C3290249
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 748pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 高速开关
- 能够进行4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 典型值1.6 mΩ（VGS = 10 V时）
- 无铅