HUF75333P3_NS2552
N沟道,电流:66A,耐压:55V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75333P3_NS2552
- 商品编号
- C3290268
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道逻辑电平功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅材料的最优利用，从而带来卓越性能。这些器件专为逻辑电平（5V）驱动源设计，适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。通过特殊的栅极氧化物设计，这些器件可在3V - 5V的栅极偏置下实现全额定电导，从而可直接由逻辑电路电源电压实现真正的通断功率控制。产品采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。
商品特性
- 66A、55V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER模型
- 可在网上获取SPICE和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理