温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSM680P06CH X0G
1个P沟道 耐压:60V 电流:18A
- 商品型号
- TSM680P06CH X0G
- 商品编号
- C3290815
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
~~- 国际标准封装-雪崩额定-高电流处理能力-快速本征整流器-低导通电阻RDS(ON)-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
- DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用