TSM4NB60CH C5G
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 商品型号
- TSM4NB60CH C5G
- 商品编号
- C3290816
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 574pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 符合 AEC-Q101 标准
应用领域
- 汽车
- 开关模式电源
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