SIHA11N80AE-GE3
N沟道,电流:5A,耐压:800V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:低品质因数 (FOM) Rₒₙ × Q₉。 低有效电容 (Cᵢₛₛ),符合RoHS标准。 降低开关和传导损耗,无卤。 超低栅极电荷 (Q₉)。 雪崩能量额定 (UIS)。 集成齐纳二极管ESD保护。应用:服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHA11N80AE-GE3
- 商品编号
- C3290252
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 804pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低有效电容 (Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 太阳能 (光伏逆变器)
