FQP20N06TSTU
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP20N06TSTU
- 商品编号
- C3290265
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 20 A、60 V,RDS(on) = 60 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 10 A
- 低栅极电荷(典型值11.5 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用