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TSM043NB04CZ

N沟道,电流:124A,耐压:40V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM043NB04CZ
商品编号: C3290243
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品特性

平面HD3e工艺，实现快速开关性能
体二极管具有低反向恢复时间（trr）和反向恢复电荷（Qrr），并针对同步操作进行优化
低输入电容（Ciss），以最小化驱动损耗
优化的栅极-漏极电荷（Qgd）和导通电阻（RDS(on)），提供直通保护
低栅极电荷
提供无铅封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	124A
	导通电阻(RDS(on))	6.7mΩ@7V
	耗散功率(Pd)	125W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	74nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.928nF@20V
	反向传输电容(Crss)	223pF@20V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道