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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFP25N05L

N沟道,电流:25A,耐压:50V

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
RFP25N05L
商品编号
C3290235
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))56mΩ@4V
属性参数值
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)80nC@010V
工作温度-
类型N沟道

商品概述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

商品特性

  • 25A,50V
  • rDS(ON) = 0.047Ω
  • 单脉冲UIS安全工作区(SOA)额定曲线
  • 针对5V栅极驱动优化设计
  • 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
  • 符合汽车驱动要求
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件
  • 工作温度 +150°C

应用领域

-可编程控制器-汽车开关-开关稳压器-开关转换器-电机继电器驱动器-双极晶体管发射极开关

数据手册PDF