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TSM035NB04CZ

N沟道,电流:157A,耐压:40V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM035NB04CZ
商品编号: C3290224
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

4.5A和5.5A，150V至200V
rDS(ON) = 0.4Ω和0.6Ω
单脉冲雪崩能量额定值
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	157A
	导通电阻(RDS(on))	3.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	156W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	110nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.99nF
	反向传输电容(Crss)	334pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	667pF