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BSS138HE3-TP
N沟道,电流:0.22A,耐压:50V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- BSS138HE3-TP
- 商品编号
- C3289977
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并提供出色的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和直流/直流转换，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 4 A，60 V
- 下降的导通电阻RDS(ON) = 0.100 Ω，在栅源电压VGS = 10 V时
- 高密度单元设计实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具有高功率和电流处理能力
- 这是一款无铅器件
应用领域
-直流电机控制-直流/直流转换