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TSM2312CX RFG

20V N沟道MOSFET,电流:4.9A,耐压:20V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM2312CX RFG
商品编号: C3289986
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034克(g)

商品参数

商品特性

无卤。“绿色”器件
通过AEC-Q101认证
采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（RDS(on)）
出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
湿气敏感度等级1级
无铅镀层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	4.9A
	导通电阻(RDS(on))	51mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	750mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	14nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	500pF
	反向传输电容(Crss)	140pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	300pF