TSM2N7002KCU
N沟道,电流:240mA,耐压:60V
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- 商品型号
- TSM2N7002KCU
- 商品编号
- C3290112
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 298mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 910pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这款 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用了仙童（Fairchild）的低压 PowerTrench 工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 5.5 A，-20 V。VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 33 mΩ
- VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 43 mΩ
- VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) = 60 mΩ
- 开关速度快。
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护