BLF6G22LS-75112
LDMOS功率晶体管,电流:18A,耐压:65V
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLF6G22LS-75112
- 商品编号
- C3290136
- 商品封装
- SOT-502B
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@28V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DSN1006-3（SOT8026）表面贴装器件（SMD）封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 平均输出功率 = 17 W
- 增益 = 18.7 dB
- 效率 = 30.5%
- 三阶互调失真(IMD3) = -37.5 dBc
- 邻道功率比(ACPR) = -41.5 dBc
- 易于进行功率控制
- 集成静电放电(ESD)保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计(2000 MHz至2200 MHz)
- 内部匹配,使用方便
- 符合关于限制有害物质(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于2000 MHz至2200 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器
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