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PMCB60XNZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DSN1006 - 3（SOT8026）表面贴装器件（SMD）封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCB60XNZ
- 商品编号
- C3290146
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 241pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于电机控制、DC-DC转换器和电源管理。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低导通状态损耗
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 电机控制-DC-DC转换器-电源管理