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PMCB60XNZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DSN1006 - 3（SOT8026）表面贴装器件（SMD）封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCB60XNZ
- 商品编号
- C3290146
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 241pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DSN1006-3(SOT8026)表面贴装器件(SMD)封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 超小型封装:1 x 0.6 x 0.2 mm
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 电池开关
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
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- MSCSM70AM025CT6AG
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- MSCMC120AM04CT6LIAG
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