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MCA03N06-TP
N沟道 MOSFET,电流:3A,耐压:60V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCA03N06-TP
- 商品编号
- C3290152
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 699pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
适用于1030 MHz至1090 MHz频率范围发射机应用的200 W LDMOS电子功率晶体管。
商品特性
- 沟槽中压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1级
- 无卤,“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准,详见订购信息)
应用领域
- 1030 MHz至1090 MHz频率范围的电子发射机应用。