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NTMT185N60S5H
N沟道,电流:15A,耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT185N60S5H
- 商品编号
- C3290172
- 商品封装
- TDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 116W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C / 典型RDS(on) = 148 mΩ
- 100%雪崩测试 / MSL1认证
- 开尔文源极配置和低寄生源极电感
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-计算机/显示电源-电信/服务器电源-照明/充电器/适配器/工业电源