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NTMT185N60S5H
N沟道,电流:15A,耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT185N60S5H
- 商品编号
- C3290172
- 商品封装
- TDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 116W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V@1.4mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：25 μA（最大值）@ VDS = 600V
- 低RDS(ON)：9.390 Ω（典型值）
- BV DSS = 600V
- RDS(on) = 12 Ω
- ID = 1 A
- TO-220