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TSM250N02DCQ RFG
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.8A
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- 描述
- 2个N沟道 耐压:20V 电流:5.8A
- 商品型号
- TSM250N02DCQ RFG
- 商品编号
- C3290173
- 商品封装
- TDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 620mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺，具备坚固的栅极结构。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于采用较大且昂贵的 SO - 8 和 TSSOP - 8 封装不切实际的应用场景。
商品特性
- 1.7 A，-18 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 0.18 Ω
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 0.30 Ω
- 扩展的 VGSS 范围（±12V），适用于电池应用
- 低栅极电荷（典型值 3nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT - 6 封装：占位面积小（比标准 SO - 8 小 72%）；厚度薄（1mm）
应用领域
- 负载开关-电池保护-电源管理