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TSM100N06CZ C0G
60V, 100A, 6.7mΩ N沟道MOSFET
- 商品型号
- TSM100N06CZ C0G
- 商品编号
- C3290211
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.382nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 339pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 低RDS(ON)6.7 mΩ(最大值)
- 低栅极电荷,典型值为 81 nC(典型值)
- 低 Crss,典型值为 339 pF(典型值)
应用领域
- 开关应用