温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP50N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:36A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 600 V、70 mOhm（典型值）、36 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP50N60DM6
- 商品编号
- C3290216
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比,DM6 结合了极低的恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr),每单位面积的RDS(ON)有显著改善,并且具备市场上用于要求严苛的高效桥拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 耐受性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用