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STP50N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:36A
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- 描述
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 600 V、70 mOhm（典型值）、36 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP50N60DM6
- 商品编号
- C3290216
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
采用SuperSOT-3封装的P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他需要快速高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，且采用非常小尺寸的表面贴装封装。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 耐受性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用