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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.154nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT42S60L和AOB42S60L采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容存储能量(EOSS),并保证了雪崩能力,因此可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 根据 JEDEC（J - STD20 和 JESD22）标准适用于工业级应用
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级、硬开关脉宽调制（PWM）级和谐振开关 PWM 级，例如用于个人电脑电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）。