STP12N65M5
N沟道,电流:8.5A,耐压:650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道650 V、0.39 Ohm典型值、8.5 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP12N65M5
- 商品编号
- C3290212
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
XP162A11C0PR是一款P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于能够实现高速开关，因此可以高效设置该IC，从而节省能源。 内置栅极保护二极管，可防止静电损坏。 小型SOT - 89封装可实现高密度安装。
商品特性
- 极低的RDS(on)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用